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临近年尾，孙健有许多大事要处理，不会为终审法院的判决而长吁短叹，昨天接到魏建国的电话，8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机在BSEC研制成功！

虽然在10月底就接到好消息，研发工程已经到了尾声，但真正接到确凿的消息，孙健还是很高兴的，当天就乘飞机来到京城，向全体研发人员表示祝贺，当场宣布公司拿出300万元，按照贡献大小，奖励全体研发人员。

从6英寸晶圆、800nm制程工艺光刻机到8英寸晶圆、500nm制程工艺光刻机是一道大坎，BSEC投资了8亿元，耗费了18个月！

一旦跨过，BSE、180nm制程工艺光刻机就相对容易一些。

因为邓国辉院士领导的光刻机光源研究所经过三年多的努力，7月14日，研制成功全球第一台浸没式193nm光刻机试验机，波长达到134nm，突破了193nm波长极限的世界性难题，因所用的光学系统是委托CarlZeissAG生产的，没有完全自主的知识产权，秘而不宣，等BSEC光刻机光学研究所研制的光学系统达到要求后，再申请公司发明专利。

从193nm干式光刻机到193nm浸没式光刻机，突破了193nm波长极限的世界性难题，是一种划时代的光刻技术。

前世90年代末，随着摩尔定律的继续演进，光刻机制程工艺从130nm进入90nm，晶圆尺寸也从8英寸升级到12英寸，但大家都没想到，半导体产业在193nm波长上卡了将近20年！

大家发现，干式193nm光刻机的极限制程工艺是65nm，再往下就很难实现了，如何突破65nm，跨入40nm制程工艺，成为阻挡在所有半导体厂商面前的拦路虎。

G两大光刻机巨头如今正在研制130nm制程工艺的光刻机，上面还有90nm、65nm制程工艺的光刻机，还没有碰到65nm制程工艺的极限！

BSEC所采用的光刻机光源是GmArF准分子激光器，为了掌握其核心技术，邓国辉和钱富强率领光刻机光源研究技术人员丢掉对方的图纸，重新研制了一遍，BSEC光刻机公司如今能生产满足1um制程工艺、800nm制程工艺和500nm制程工艺的193nmArF准分子激光器，按照双方当初签订的公司发明专利转让协定，这些准分子激光器只能在BSEC光刻机上使用。

1995年7月，钱富强晋升研究员，担任光刻机光源研究所所长。

邓国辉院长主持BSEC光刻机研究院的全盘工作。

BSEC能生产8英寸晶圆、500nm制程工艺的光刻机，虽然离G制程工艺的光刻机，还差350nm、250nm和180nm三道关口，但这一步跨出去是多么的不易？

不亲自参与其中，不知道研发过程中的艰难！

BSE制程工艺的半导体生产线只是时间问题。

从1996年6月开始，BSEC投资8亿元用于研发8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机，一晃就过去了18个月，由邓国辉、欧阳明、陈伟长和夏季常等四位院士主持的这项系统性的研发工程终成正果。

光刻机自动化研究所早就准备好了满足500nm制程工艺光刻机所需要的磁悬浮式双工作台系统，这套系统是GCA1995年在BSEC提供的公司发明专利基础上研发成功的，专利属于BSEC。

夏季常院士带领研究所科研人员又研制一遍，性能更加完善！又研制了一遍满足350nm（也是GCA研发成功）制程工艺光刻机所需要的磁悬浮式双工作台系统。

1996年5月，夏季常院士带领光刻机自动化研究所率先研制成功满足250nm制程工艺光刻机所需要的磁悬浮式双工作台系统。

BSEC光刻机公司如今能生产能满足各种制程工艺光刻机的磁悬浮式双工作台系统，订单生产。